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首页 全部分类 IPP65R190C6XKSA1 vs IPP60R160P6XKSA1

IPP65R190C6XKSA1备选型号: IPP60R160P6XKSA1

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IPP65R190C6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    20.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 7.3A, 10V
    3.5V @ 730μA
    无卤素
    1620pF @ 100V
    73nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    10 ns
    20.2A
    TO-220AB
    20V
    650V
    0.19Ohm
    66A
    485 mJ
    15.95mm
    10.36mm
    4.57mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R160P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    23.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    12.5 ns
    N-Channel
    -
    160mOhm @ 9A, 10V
    4.5V @ 750μA
    无卤素
    2080pF @ 100V
    44nC @ 10V
    7.6ns
    ±20V
    5.8 ns
    23.8A
    -
    20V
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-TO220-3
    150°C
    -55°C
    600V
    2.08nF
    144mOhm
    160 mΩ
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