Infineon Technologies SPP20N65C3XKSA1

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

208W Tc

Turn Off Delay Time

67 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

650V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

20.7A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

208W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 13.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 1mA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

114nC @ 10V

上升时间

5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.5 ns

连续放电电流(ID)

20.7A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

650V

漏源击穿电压

650V

雪崩能量等级（Eas）

690 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅