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首页 全部分类 IPP65R190E6XKSA1 vs STP24NM60N

IPP65R190E6XKSA1备选型号: STP24NM60N

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  • Vgs（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 宽度
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  • 无铅
  • 生命周期状态
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  • 箱体转运
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP65R190E6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    20.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 7.3A, 10V
    3.5V @ 730μA
    无卤素
    1620pF @ 100V
    73nC @ 10V
    ±20V
    20.2A
    TO-220AB
    30V
    650V
    0.19Ohm
    66A
    485 mJ
    15.95mm
    10.36mm
    4.57mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP24NM60N
    STMicroelectronics
    N-Channel 600 V 190 mOhm Flange Mount MDmesh? II Power Mosfet - TO-220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    11.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    1400pF @ 50V
    46nC @ 10V
    ±30V
    17A
    TO-220AB
    30V
    -
    -
    68A
    -
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    EAR99
    190MOhm
    STP24N
    120W
    DRAIN
    16.5ns
    600V
    37 ns
    3V
    650V
    无SVHC
    无
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