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首页 全部分类 IPP65R190E6XKSA1 vs STP28N65M2

IPP65R190E6XKSA1备选型号: STP28N65M2

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IPP65R190E6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    20.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 7.3A, 10V
    3.5V @ 730μA
    无卤素
    1620pF @ 100V
    73nC @ 10V
    ±20V
    20.2A
    TO-220AB
    30V
    650V
    0.19Ohm
    66A
    485 mJ
    15.95mm
    10.36mm
    4.57mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP28N65M2
    STMicroelectronics
    In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP28N65M2
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    20A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    13.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    1440pF @ 100V
    35nC @ 10V
    ±25V
    20A
    TO-220AB
    25V
    -
    -
    80A
    760 mJ
    19.68mm
    10.4mm
    4.6mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    EAR99
    STP28N
    1
    170W
    DRAIN
    3V
    650V
    150°C
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