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IPS65R1K4C6AKMA1备选型号: IPU50R1K4CEBKMA1
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- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
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- 最大双电源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
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- 下降时间（典型值）
Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin(3 Tab) TO-251 Tube12 Weeks通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak33.2A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008e3no不用于新设计1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)未说明not_compliant未说明Single28W7.7 nsN-Channel1.4 Ω @ 1A, 10V3.5V @ 100μA无卤素225pF @ 100V10.5nC @ 10V±20V3.2A20V650V6.22mm6.73mm2.39mmROHS3 Compliant含铅---
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251-通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA33.1A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013-noObsolete3 (168 Hours)EAR99-未说明-未说明Single25W6.5 nsN-Channel1.4 Ω @ 900mA, 13V3.5V @ 70μA-178pF @ 100V8.2nC @ 10V±20V3.1A30V-6.22mm6.73mm2.41mm符合RoHS标准-6ns500V30 ns- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPS65R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 650V TO-251-3 | 对比 |
| IPU60R1K5CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-Ch 600V 3.1A IPAK-3 | 对比 |
| IPU50R1K4CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251 | 对比 |
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