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IPS80R1K4P7AKMA1备选型号: IPU60R1K0CEBKMA1
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- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管特性
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- 元素配置
- 接通延迟时间
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL18 Weeks通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPakSILICON4A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明not_compliant未说明R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 1.4A, 10V3.5V @ 700μA10nC @ 10V800V±20V4A8.9A800V8 mJ超级交界处ROHS3 Compliant---------
MOSFET N-Ch 600V 4.3A IPAK-3-通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON4.3A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2015-yesDiscontinued3 (168 Hours)3---未说明-未说明R-PSIP-T3-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1 Ω @ 1.5A, 10V3.5V @ 130μA13nC @ 10V600V±20V4.3A-600V46 mJ-ROHS3 Compliant343.085929mg1Single10 ns280pF @ 100V8ns13 ns20V1Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STU7N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | STMICROELECTRONICS STU7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
| IPU60R1K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-Ch 600V 4.3A IPAK-3 | 对比 |
| IPU80R1K4CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3 | 对比 |
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