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首页 全部分类 IPS80R1K4P7AKMA1 vs STU7N65M2

IPS80R1K4P7AKMA1备选型号: STU7N65M2

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  • 场效应管特性
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  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPS80R1K4P7AKMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
    SILICON
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSIP-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 1.4A, 10V
    3.5V @ 700μA
    10nC @ 10V
    800V
    ±20V
    4A
    8.9A
    800V
    8 mJ
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STU7N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STU7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    -
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    1.15 Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    9nC @ 10V
    -
    ±25V
    5A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3
    3.949996g
    980mOhm
    STU7N
    8 ns
    270pF @ 100V
    20ns
    20 ns
    3V
    25V
    650V
    无SVHC
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