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首页 全部分类 IPW50R190CEFKSA1 vs IPW60R190P6FKSA1

IPW50R190CEFKSA1备选型号: IPW60R190P6FKSA1

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  • 引脚数量
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  • 操作模式
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPW50R190CEFKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    18.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2000
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    3
    Single
    增强型MOSFET
    127W
    9.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 6.2A, 13V
    3.5V @ 510μA
    1137pF @ 100V
    47.2nC @ 10V
    8.5ns
    ±20V
    7.5 ns
    18.5A
    20V
    500V
    超级交界处
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R190P6FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin TO-247 Tube
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    20.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 7.6A, 10V
    4.5V @ 630μ
    1750pF @ 100V
    11nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    7 ns
    20.2A
    20V
    600V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    0.19Ohm
    57A
    419 mJ
    无SVHC
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