Infineon Technologies IPW50R190CEFKSA1

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

127W Tc

Turn Off Delay Time

54 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2000

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

127W

接通延迟时间

9.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 6.2A, 13V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 510μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1137pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

47.2nC @ 10V

上升时间

8.5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7.5 ns

连续放电电流(ID)

18.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

500V

场效应管特性

超级交界处

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅