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首页 全部分类 IPW50R190CEFKSA1 vs SPW12N50C3FKSA1

IPW50R190CEFKSA1备选型号: SPW12N50C3FKSA1

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPW50R190CEFKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    18.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2000
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    3
    Single
    增强型MOSFET
    127W
    9.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 6.2A, 13V
    3.5V @ 510μA
    1137pF @ 100V
    47.2nC @ 10V
    8.5ns
    ±20V
    7.5 ns
    18.5A
    20V
    500V
    超级交界处
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPW12N50C3FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 560V 11.6A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    11.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    3
    -
    增强型MOSFET
    125W
    10 ns
    N-Channel
    -
    380m Ω @ 7A, 10V
    3.9V @ 500μA
    1200pF @ 25V
    49nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    8 ns
    11.6A
    20V
    500V
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    560V
    TO-247AD
    0.38Ohm
    34.8A
    340 mJ
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