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IPW60R060C7XKSA1备选型号: IPW60R099C6FKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 引脚数
- ECCN 代码
- 资历状况
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 600V 35A TO24718 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON35A Tc4V @ 800μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ C72008e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING60m Ω @ 15.9A, 10V无卤素2850pF @ 400V68nC @ 10V±20V35A600V0.06Ohm159 mJROHS3 Compliant无铅--------
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO24726 Weeks-通孔TO-247-3SILICON37.9A Tc3.5V @ 1.21mA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING99m Ω @ 18.1A, 10V-2660pF @ 100V119nC @ 10V±20V--0.099Ohm796 mJROHS3 Compliant-NO3EAR99不合格600V37.9A112A600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247 | 对比 |
 | STW48N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STW48N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 40 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | 对比 |
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