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首页 全部分类 IPW60R099CPAFKSA1 vs IPW65R095C7XKSA1

IPW60R099CPAFKSA1备选型号: IPW65R095C7XKSA1

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IPW60R099CPAFKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin TO-247 Tube
    18 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    3.5V @ 1.2mA
    60 ns
    2010
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    105m Ω @ 18A, 10V
    2800pF @ 100V
    80nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    31A
    20V
    600V
    0.105Ohm
    800 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R095C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 24A TO247
    18 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    -
    4V @ 590μA
    24A Tc
    2008
    CoolMOS™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    17 ns
    N-Channel
    -
    95mOhm @ 11.8A, 10V
    2140pF @ 400V
    45nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    24A
    20V
    650V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-TO247
    150°C
    -55°C
    无卤素
    650V
    7 ns
    2.14nF
    84mOhm
    95 mΩ
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