IPW65R065C7XKSA1备选型号: IPW65R095C7XKSA1

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  • 工厂交货时间
  • 底架
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  • 包装/外壳
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  • 供应商器件包装
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
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  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V TO-247-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    PG-TO247-3
    33A Tc
    4V @ 850μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    17 ns
    N-Channel
    65mOhm @ 17.1A, 10V
    无卤素
    3020pF @ 400V
    64nC @ 10V
    14ns
    650V
    ±20V
    7 ns
    33A
    20V
    650V
    3.02nF
    58mOhm
    65 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 24A TO247
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    PG-TO247
    24A Tc
    4V @ 590μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    17 ns
    N-Channel
    95mOhm @ 11.8A, 10V
    无卤素
    2140pF @ 400V
    45nC @ 10V
    14ns
    650V
    ±20V
    7 ns
    24A
    20V
    650V
    2.14nF
    84mOhm
    95 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
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