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首页 全部分类 IPW65R190CFDAFKSA1 vs FCH22N60N

IPW65R190CFDAFKSA1备选型号: FCH22N60N

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  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPW65R190CFDAFKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    17.5A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    2012
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    未说明
    未说明
    3
    Single
    增强型MOSFET
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 7.3A, 10V
    4.5V @ 700μA
    1850pF @ 100V
    68nC @ 10V
    ±20V
    17.5A
    30V
    650V
    0.19Ohm
    57.2A
    484 mJ
    21.1mm
    16.03mm
    5.16mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH22N60N
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SupreMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    -
    Single
    增强型MOSFET
    16.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    165m Ω @ 11A, 10V
    4V @ 250μA
    1950pF @ 100V
    45nC @ 10V
    ±30V
    22A
    30V
    -
    -
    66A
    672 mJ
    21mm
    15.95mm
    5.03mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    6.39g
    EAR99
    not_compliant
    不合格
    205W
    16.7ns
    4 ns
    3V
    600V
    无SVHC
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