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首页 全部分类 IPW65R190CFDAFKSA1 vs IPW65R150CFDFKSA1

IPW65R190CFDAFKSA1备选型号: IPW65R150CFDFKSA1

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IPW65R190CFDAFKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    17.5A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    2012
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    未说明
    未说明
    3
    Single
    增强型MOSFET
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 7.3A, 10V
    4.5V @ 700μA
    1850pF @ 100V
    68nC @ 10V
    ±20V
    17.5A
    30V
    650V
    0.19Ohm
    57.2A
    484 mJ
    21.1mm
    16.03mm
    5.16mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R150CFDFKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET HIGH POWER_BEST IN CLASS
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    22.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    3
    Single
    增强型MOSFET
    12.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 9.3A, 10V
    4.5V @ 900μA
    2340pF @ 100V
    86nC @ 10V
    ±20V
    22.4A
    20V
    650V
    -
    72A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    R-PSFM-T3
    195.3W
    7.6ns
    5.6 ns
    700V
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