IPW65R190CFDAFKSA1备选型号: STW28N65M2

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    17.5A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    2012
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    未说明
    未说明
    3
    Single
    增强型MOSFET
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 7.3A, 10V
    4.5V @ 700μA
    1850pF @ 100V
    68nC @ 10V
    ±20V
    17.5A
    30V
    650V
    0.19Ohm
    57.2A
    484 mJ
    21.1mm
    16.03mm
    5.16mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 20A TO247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    20A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    Single
    增强型MOSFET
    13.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    1440pF @ 100V
    35nC @ 10V
    ±25V
    20A
    25V
    -
    0.18Ohm
    80A
    760 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    EAR99
    STW28N
    650V
    650V
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