IPZ65R019C7XKSA1备选型号: FCH041N65EFL4

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4 Tab) TO-247 Tube
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-4
    38.000013g
    SILICON
    75A Tc
    4V @ 2.92mA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T4
    Single
    增强型MOSFET
    446W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    19m Ω @ 58.3A, 10V
    无卤素
    9900pF @ 400V
    215nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    5 ns
    75A
    20V
    650V
    496A
    583 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 41 mO, TO-247 4L
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-4
    6.289g
    -
    76A Tc
    5V @ 7.6mA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FRFET®, SuperFET® II
    -
    e3
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    -
    Single
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    41m Ω @ 38A, 10V
    -
    12560pF @ 100V
    298nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    76A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    yes
    EAR99
    8541.29.00.95
    650V
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