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IPZ65R019C7XKSA1备选型号: IPZ65R065C7XKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4 Tab) TO-247 Tube18 Weeks通孔通孔TO-247-438.000013gSILICON75A Tc4V @ 2.92mA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ C72008e3活跃1 (Unlimited)4Tin (Sn)未说明未说明R-PSFM-T4Single增强型MOSFET446W30 nsN-ChannelSWITCHING19m Ω @ 58.3A, 10V无卤素9900pF @ 400V215nC @ 10V27ns±20V5 ns75A20V650V496A583 mJROHS3 Compliant无铅--------- MOSFET N-CH 650V TO247-418 Weeks通孔通孔TO-247-4--33A Tc4V @ 850μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ C72008-活跃1 (Unlimited)--------16 nsN-Channel-65mOhm @ 17.1A, 10V无卤素3020pF @ 400V64nC @ 10V7ns±20V-33A20V650V--ROHS3 Compliant无铅4PG-TO247-4150°C-55°C650V3.02nF58mOhm65 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPZ65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-4 | MOSFET N-CH 650V TO247-4 | 对比 |
 | STW88N65M5-4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-4 | MOSFET N-CH 650V 84A | 对比 |
 | FCH041N65EFL4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-4 | N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 41 mO, TO-247 4L | 对比 |
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