IRF1503SPBF备选型号: STB80NF03L-04T4

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 正向电压
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    3.3MOhm
    30V
    75A
    Single
    200W
    17 ns
    N-Channel
    3.3m Ω @ 140A, 10V
    4V @ 250μA
    5730pF @ 25V
    200nC @ 10V
    130ns
    ±20V
    1.3V
    48 ns
    75A
    20V
    30V
    4 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    80A Tc
    -60°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    4mOhm
    30V
    80A
    Single
    300W
    30 ns
    N-Channel
    4m Ω @ 40A, 10V
    1V @ 250μA
    5500pF @ 25V
    110nC @ 4.5V
    270ns
    ±20V
    -
    95 ns
    80A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    SILICON
    e3
    2
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    245
    30
    STB80N
    4
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
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