IRF1503SPBF备选型号: STB95N3LLH6
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 正向电压
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010Discontinued1 (Unlimited)EAR993.3MOhm30V75ASingle200W17 nsN-Channel3.3m Ω @ 140A, 10V4V @ 250μA5730pF @ 25V200nC @ 10V130ns±20V1.3V48 ns75A20V30V4 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------------
- Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB380A Tc175°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VI-Obsolete1 (Unlimited)EAR99----70W19 nsN-Channel4.2m Ω @ 40A, 10V2.5V @ 250μA2200pF @ 25V24.5nC @ 4.5V91ns±20V-23.4 ns80A20V--4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant-SILICONe3yes2Matte Tin (Sn) - annealedSINGLE鸥翼245STB95N4R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING30V1V0.007Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STB80NF03L-04T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 对比 |
![]() | STB95N3LLH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |





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