IRF1503SPBF备选型号: STB95N3LLH6

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    3.3MOhm
    30V
    75A
    Single
    200W
    17 ns
    N-Channel
    3.3m Ω @ 140A, 10V
    4V @ 250μA
    5730pF @ 25V
    200nC @ 10V
    130ns
    ±20V
    1.3V
    48 ns
    75A
    20V
    30V
    4 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    80A Tc
    175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    70W
    19 ns
    N-Channel
    4.2m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2200pF @ 25V
    24.5nC @ 4.5V
    91ns
    ±20V
    -
    23.4 ns
    80A
    20V
    -
    -
    4.6mm
    10.75mm
    10.4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    e3
    yes
    2
    Matte Tin (Sn) - annealed
    SINGLE
    鸥翼
    245
    STB95N
    4
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    30V
    1V
    0.007Ohm
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