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首页 全部分类 IRF200B211 vs BUZ73ALHXKSA1

IRF200B211备选型号: BUZ73ALHXKSA1

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  • RoHS状态
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  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRF200B211
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 200 V 170 mOhm 15.3 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    12A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    170mOhm
    未说明
    未说明
    N-Channel
    170m Ω @ 7.2A, 10V
    4.9V @ 50μA
    790pF @ 50V
    23nC @ 10V
    200V
    ±20V
    12A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BUZ73ALHXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    5.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SIPMOS®
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    N-Channel
    600m Ω @ 3.5A, 5V
    2V @ 1mA
    840pF @ 25V
    -
    200V
    ±20V
    5.5A
    符合RoHS标准
    -
    3
    SILICON
    yes
    3
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    15 ns
    60ns
    40 ns
    TO-220AB
    20V
    0.6Ohm
    22A
    200V
    120 mJ
    无
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