IRF200B211备选型号: FQP16N15

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    Single N-Channel 200 V 170 mOhm 15.3 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    12A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    170mOhm
    未说明
    未说明
    N-Channel
    170m Ω @ 7.2A, 10V
    4.9V @ 50μA
    790pF @ 50V
    23nC @ 10V
    200V
    ±20V
    12A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 16.4A TO-220
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    16.4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    160mOhm @ 8.2A, 10V
    4V @ 250μA
    910pF @ 25V
    30nC @ 10V
    150V
    ±25V
    16.4A
    符合RoHS标准
    无铅
    TO-220-3
    175°C
    -55°C
    150V
    16.4A
    Single
    108W
    115ns
    80 ns
    25V
    150V
    910pF
    160mOhm
    160 mΩ
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