IRF200B211备选型号: FQPF7P20

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
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  • 电压 - 额定直流
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    Single N-Channel 200 V 170 mOhm 15.3 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    12A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    170mOhm
    未说明
    未说明
    N-Channel
    170m Ω @ 7.2A, 10V
    4.9V @ 50μA
    790pF @ 50V
    23nC @ 10V
    200V
    ±20V
    12A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 200V 5.2A TO-220F
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    5.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    P-Channel
    690m Ω @ 2.6A, 10V
    5V @ 250μA
    770pF @ 25V
    25nC @ 10V
    200V
    ±30V
    5.2A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    3
    2.27g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    -200V
    -5.2A
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    ISOLATED
    15 ns
    SWITCHING
    110ns
    42 ns
    30V
    0.69Ohm
    -200V
    20.8A
    560 mJ
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
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