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首页 全部分类 IRF2907ZS-7PPBF vs IRFS7734-7PPBF

IRF2907ZS-7PPBF备选型号: IRFS7734-7PPBF

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 反向恢复时间
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    IRF2907ZS-7PPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    7
    SILICON
    160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2005
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    4.5MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    75V
    鸥翼
    260
    160A
    30
    R-PSSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 110A, 10V
    4V @ 250μA
    7580pF @ 25V
    260nC @ 10V
    90ns
    ±20V
    44 ns
    35 ns
    160A
    4V
    20V
    75V
    75V
    53 ns
    4 V
    4.5466mm
    10.3378mm
    10.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS7734-7PPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    7
    -
    197A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2005
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    294W
    -
    17 ns
    N-Channel
    -
    3.05m Ω @ 100A, 10V
    3.7V @ 150μA
    10130pF @ 25V
    270nC @ 10V
    85ns
    ±20V
    75 ns
    -
    197A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    4.83mm
    10.54mm
    9.65mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16 Weeks
    1.59999g
    1
    75V
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