Infineon Technologies IRF2907ZS-7PPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

160A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

92 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.5MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE

电压 - 额定直流

75V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

160A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G6

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

21 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.8m Ω @ 110A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7580pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260nC @ 10V

上升时间

90ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

44 ns

反向恢复时间

35 ns

连续放电电流(ID)

160A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

75V

双电源电压

75V

恢复时间

53 ns

栅源电压

4 V

高度

4.5466mm

长度

10.3378mm

宽度

10.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅