IRF3007SPBF备选型号: IRFS3607PBF

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  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    62A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    75V
    62A
    Single
    120W
    12 ns
    N-Channel
    12.6m Ω @ 48A, 10V
    4V @ 250μA
    3270pF @ 25V
    130nC @ 10V
    80ns
    ±20V
    49 ns
    62A
    20V
    75V
    4.572mm
    10.668mm
    9.65mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 7.34 Milliohms; ID 80A; D2Pak; PD 140W; VGS /-2
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    Single
    140W
    16 ns
    N-Channel
    9m Ω @ 46A, 10V
    4V @ 100μA
    3070pF @ 50V
    84nC @ 10V
    110ns
    ±20V
    96 ns
    80A
    20V
    75V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    4V
    75V
    50 ns
    4 V
    无SVHC
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