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首页 全部分类 IRF6616TRPBF vs IRFH7440TRPBF

IRF6616TRPBF备选型号: IRFH7440TRPBF

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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 电阻
  • 通道数量
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRF6616TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
    12 Weeks
    DirectFET™ Isometric MX
    表面贴装
    表面贴装
    5
    SILICON
    21 ns
    2007
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    30V
    BOTTOM
    19A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 19A, 10V
    2.25V @ 250μA
    3765pF @ 20V
    44nC @ 4.5V
    19ns
    ±20V
    4.4 ns
    15A
    1.8V
    20V
    40V
    36 mJ
    5.0546mm
    6.35mm
    508μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH7440TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
    12 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    85A Tc
    2012
    HEXFET®, StrongIRFET™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    104W
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    2.4m Ω @ 50A, 10V
    3.9V @ 100μA
    4574pF @ 25V
    138nC @ 10V
    45ns
    ±20V
    42 ns
    85A
    2.2V
    20V
    40V
    -
    5mm
    5.85mm
    1.05mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    2.4MOhm
    1
    150°C
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