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首页 全部分类 IRF6616TRPBF vs IRLR8113PBF

IRF6616TRPBF备选型号: IRLR8113PBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 雪崩能量等级（Eas）
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  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRF6616TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
    12 Weeks
    DirectFET™ Isometric MX
    表面贴装
    表面贴装
    5
    SILICON
    21 ns
    2007
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    30V
    BOTTOM
    19A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 19A, 10V
    2.25V @ 250μA
    3765pF @ 20V
    44nC @ 4.5V
    19ns
    ±20V
    4.4 ns
    15A
    1.8V
    20V
    40V
    36 mJ
    5.0546mm
    6.35mm
    508μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8113PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    -
    94A Tc
    2004
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    30V
    -
    94A
    -
    -
    -
    89W
    -
    9.2 ns
    N-Channel
    -
    6mOhm @ 15A, 10V
    2.25V @ 250μA
    2920pF @ 15V
    32nC @ 4.5V
    3.8ns
    ±20V
    10 ns
    94A
    2.25V
    20V
    30V
    -
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    符合RoHS标准
    无
    无SVHC
    无铅
    D-Pak
    6MOhm
    175°C
    -55°C
    Single
    30V
    2.92nF
    49 ns
    7.4mOhm
    6 mΩ
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