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IRF6616TRPBF备选型号: IRFH7446TRPBF
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- 包装/外壳
- 安装类型
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- 晶体管元件材料
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- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 电阻
- 终端形式
- 元素配置
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET12 WeeksDirectFET™ Isometric MX表面贴装表面贴装5SILICON21 ns2007HEXFET®Tape & Reel (TR)-40°C~150°C TJe1活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)30VBOTTOM19AR-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET89WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING5m Ω @ 19A, 10V2.25V @ 250μA3765pF @ 20V44nC @ 4.5V19ns±20V4.4 ns15A1.8V20V40V36 mJ5.0546mm6.35mm508μmROHS3 Compliant无无SVHC无铅----
MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X612 Weeks8-TQFN Exposed Pad表面贴装表面贴装5SILICON78W Tc2008HEXFET®, StrongIRFET™Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ-活跃1 (Unlimited)5EAR99--DUAL---增强型MOSFET78WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING3.3m Ω @ 50A, 10V3.9V @ 100μA3174pF @ 25V98nC @ 10V37ns±20V26 ns85A2.2V20V40V-5mm5.85mm1.17mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅3.3MOhmFLATSingle468A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-TQFN Exposed Pad | MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 | 对比 |
 | IRLR8113PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 94A DPAK | 对比 |
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