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首页 全部分类 IRF6619 vs IRF6619TR1

IRF6619备选型号: IRF6619TR1

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  • 配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 终端
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 反向恢复时间
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF6619
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 30A 7-Pin Direct-FET MX
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    SILICON
    30A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    3
    EAR99
    20V
    BOTTOM
    无铅
    260
    30A
    40
    R-XBCC-N3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2m Ω @ 30A, 10V
    2.45V @ 250μA
    5040pF @ 10V
    57nC @ 4.5V
    71ns
    ±20V
    9.3 ns
    24A
    20V
    0.0022Ohm
    20V
    240A
    240 mJ
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6619TR1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    -
    30A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    -
    20V
    -
    -
    -
    30A
    -
    -
    -
    -
    -
    2.8W
    -
    N-Channel
    -
    2.2mOhm @ 30A, 10V
    2.45V @ 250μA
    5040pF @ 10V
    57nC @ 4.5V
    71ns
    ±20V
    9.3 ns
    24A
    20V
    -
    20V
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    DIRECTFET™ MX
    SMD/SMT
    150°C
    -40°C
    20V
    29 ns
    2.45V
    20V
    5.04nF
    1.65Ohm
    2.2 mΩ
    2.45 V
    无SVHC
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