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首页 全部分类 IRF6619 vs IRF6716MTRPBF

IRF6619备选型号: IRF6716MTRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRF6619
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 30A 7-Pin Direct-FET MX
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    SILICON
    30A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    3
    EAR99
    20V
    BOTTOM
    无铅
    260
    30A
    40
    R-XBCC-N3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2m Ω @ 30A, 10V
    2.45V @ 250μA
    5040pF @ 10V
    57nC @ 4.5V
    71ns
    ±20V
    9.3 ns
    24A
    20V
    0.0022Ohm
    20V
    240A
    240 mJ
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6716MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    SILICON
    39A Ta 180A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    BOTTOM
    -
    -
    -
    -
    R-XBCC-N3
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.6m Ω @ 40A, 10V
    2.4V @ 100μA
    5150pF @ 13V
    59nC @ 4.5V
    105ns
    ±20V
    41 ns
    39A
    20V
    0.0016Ohm
    25V
    320A
    330 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    e1
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    26 ns
    1.9V
    180A
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
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