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首页 全部分类 IRF6644TRPBF vs BSC160N10NS3GATMA1

IRF6644TRPBF备选型号: BSC160N10NS3GATMA1

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 无铅代码
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • Infineon Technologies
    IRF6644TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MN
    5
    SILICON
    10.3A Ta 60A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    100V
    BOTTOM
    10.3A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    13m Ω @ 10.3A, 10V
    4.8V @ 150μA
    2210pF @ 25V
    47nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    16 ns
    8.3A
    4.8V
    20V
    100V
    228A
    86 mJ
    4.8 V
    508μm
    6.35mm
    5.0546mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC160N10NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    8.8A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    DUAL
    -
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    16m Ω @ 33A, 10V
    3.5V @ 33μA
    1700pF @ 50V
    25nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    5 ns
    8.8A
    -
    20V
    -
    -
    50 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    no
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    不合格
    SWITCHING
    无卤素
    100V
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