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首页 全部分类 IRF6644TRPBF vs IRF6646TRPBF

IRF6644TRPBF备选型号: IRF6646TRPBF

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 端子位置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    IRF6644TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
    12 Weeks
    DirectFET™ Isometric MN
    表面贴装
    表面贴装
    5
    SILICON
    4.8V @ 150μA
    34 ns
    2006
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    100V
    BOTTOM
    10.3A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    13m Ω @ 10.3A, 10V
    2210pF @ 25V
    47nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    16 ns
    8.3A
    4.8V
    20V
    100V
    228A
    86 mJ
    4.8 V
    5.0546mm
    6.35mm
    508μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6646TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
    12 Weeks
    DirectFET™ Isometric MN
    表面贴装
    表面贴装
    5
    SILICON
    4.9V @ 150μA
    12A Ta 68A Tc
    2006
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    80V
    BOTTOM
    12A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    9.5m Ω @ 12A, 10V
    2060pF @ 25V
    50nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    12 ns
    12mA
    4.9V
    20V
    80V
    96A
    230 mJ
    -
    5.05mm
    6.35mm
    506μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    SWITCHING
    68A
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