IRF6644TRPBF备选型号: IRFR3410TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 终端
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 双电源电压
- MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MN5SILICON10.3A Ta 60A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2006e1活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)低导通损耗100VBOTTOM10.3AR-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET89WDRAIN17 nsN-Channel13m Ω @ 10.3A, 10V4.8V @ 150μA2210pF @ 25V47nC @ 10V26ns±20V16 ns8.3A4.8V20V100V228A86 mJ4.8 V508μm6.35mm5.0546mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------
- MOSFET N-CH 100V 31A DPAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON31A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004e3活跃1 (Unlimited)2EAR99--100V-31AR-PSSO-G2-增强型MOSFET110WDRAIN12 nsN-Channel39m Ω @ 18A, 10V4V @ 250μA1690pF @ 25V56nC @ 10V27ns±20V13 ns31A4V20V100V--4 V2.3876mm6.7056mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅TinSMD/SMT39MOhm鸥翼26030SingleSWITCHINGTO-252AA100V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSC160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | 对比 |
![]() | IRF6646TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MN | MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET | 对比 |





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