IRF6648TR1备选型号: FDB070AN06A0
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 最高工作温度
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- 电压 - 额定直流
- 额定电流
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 反向恢复时间
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MN7DIRECTFET™ MN86A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2006Obsolete2 (1 Year)SMD/SMT150°C-40°C60V86A2.8W16 nsN-Channel7mOhm @ 17A, 10V4.9V @ 150μA2120pF @ 25V50nC @ 10V29ns60V±20V13 ns31 ns86A4V20V60V60V2.12nF2MOhm7 mΩ4 V无SVHC无Non-RoHS Compliant含铅-------------------
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-15A Ta 80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2003活跃1 (Unlimited)SMD/SMT--60V80A175W12 nsN-Channel7m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA3000pF @ 25V66nC @ 10V159ns-±20V35 ns-80A4V20V60V60V---4 V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)8 Weeks1.31247gSILICONe3yes2EAR997MOhmTin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING4.83mm10.67mm11.33mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH5106TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN | 对比 |
![]() | IRFH5206TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFH5206TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN | 对比 |





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