Infineon Technologies IRF6648TR1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MN

引脚数

7

供应商器件包装

DIRECTFET™ MN

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

86A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 89W Tc

Turn Off Delay Time

28 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 额定直流

60V

额定电流

86A

功率耗散

2.8W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7mOhm @ 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.9V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2120pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

上升时间

29ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13 ns

反向恢复时间

31 ns

连续放电电流(ID)

86A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

双电源电压

60V

输入电容

2.12nF

漏源电阻

2MOhm

最大rds

7 mΩ

栅源电压

4 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅