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首页 全部分类 IRF6648TR1 vs IRFH5106TRPBF

IRF6648TR1备选型号: IRFH5106TRPBF

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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • JESD-30代码
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
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  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRF6648TR1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MN
    7
    DIRECTFET™ MN
    86A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    2 (1 Year)
    SMD/SMT
    150°C
    -40°C
    60V
    86A
    2.8W
    16 ns
    N-Channel
    7mOhm @ 17A, 10V
    4.9V @ 150μA
    2120pF @ 25V
    50nC @ 10V
    29ns
    60V
    ±20V
    13 ns
    31 ns
    86A
    4V
    20V
    60V
    60V
    2.12nF
    2MOhm
    7 mΩ
    4 V
    无SVHC
    无
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5106TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    21A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    114W
    8.1 ns
    N-Channel
    5.6m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    3090pF @ 25V
    75nC @ 10V
    13ns
    -
    ±20V
    9.5 ns
    -
    100A
    2V
    20V
    60V
    -
    -
    -
    -
    2 V
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    e3
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    40
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.0056Ohm
    400A
    96 mJ
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
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