IRF6710S2TRPBF备选型号: STD70N2LH5

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric S1
    6
    SILICON
    12A Ta 37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    15W
    DRAIN
    7.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.9m Ω @ 12A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1190pF @ 13V
    13nC @ 4.5V
    20ns
    ±20V
    6 ns
    12mA
    20V
    0.0059Ohm
    25V
    24 mJ
    558.8μm
    4.826mm
    3.95mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 25V 48A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    48A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    7.1m Ω @ 24A, 10V
    1V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    8nC @ 5V
    -
    ±22V
    -
    48A
    22V
    -
    25V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    yes
    7.1MOhm
    鸥翼
    STD70N
    3
    Single
    无铅
  • 添加型号
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