IRF6710S2TRPBF备选型号: STD70N2LH5
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅代码
- 电阻
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 无铅
- MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET15 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric S16SILICON12A Ta 37A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008Obsolete1 (Unlimited)2EAR99BOTTOMR-XBCC-N2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET15WDRAIN7.9 nsN-ChannelSWITCHING5.9m Ω @ 12A, 10V2.4V @ 25μA1190pF @ 13V13nC @ 4.5V20ns±20V6 ns12mA20V0.0059Ohm25V24 mJ558.8μm4.826mm3.95mm无符合RoHS标准-------
- Trans MOSFET N-CH 25V 48A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON48A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ V-Obsolete1 (Unlimited)2EAR99-R-PSSO-G2-增强型MOSFET60WDRAIN-N-ChannelSWITCHING7.1m Ω @ 24A, 10V1V @ 250μA1300pF @ 25V8nC @ 5V-±22V-48A22V-25V----无ROHS3 Compliantyes7.1MOhm鸥翼STD70N3Single无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSZ0506NSATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ0506NSATMA1 | 对比 |
![]() | PSMN5R8-30LL,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 30V QFN3333 | 对比 |






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