STMicroelectronics STD70N2LH5
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STD70N2LH5
2381-STD70N2LH5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Trans MOSFET N-CH 25V 48A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
--最小包装量--
STD70N2LH5详情
STMicroelectronics STD70N2LH5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
48A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
60W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ V
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
7.1MOhm
终端形式
鸥翼
基本部件号
STD70N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
60W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.1m Ω @ 24A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8nC @ 5V
Vgs(最大值)
±22V
连续放电电流(ID)
48A
栅极至源极电压(Vgs)
22V
漏源击穿电压
25V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STD70N2LH5拓展信息
STMicroelectronics
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