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首页 全部分类 IRF6713STR1PBF vs IRFH5302DTR2PBF

IRF6713STR1PBF备选型号: IRFH5302DTR2PBF

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  • 栅源电压
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  • 高度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • Infineon Technologies
    IRF6713STR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
    DirectFET™ Isometric SQ
    表面贴装
    表面贴装
    6
    DIRECTFET™ SQ
    22A Ta 95A Tc
    HEXFET®
    2008
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    3MOhm
    150°C
    -40°C
    2.2W
    12 ns
    N-Channel
    3mOhm @ 22A, 10V
    2.4V @ 50μA
    2880pF @ 13V
    32nC @ 4.5V
    13ns
    25V
    ±20V
    6 ns
    22A
    1.9V
    20V
    25V
    25V
    2.88nF
    30 ns
    4.6mOhm
    3 mΩ
    1.9 V
    3.95mm
    3.95mm
    508μm
    无
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5302DTR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    PQFN (5x6) Single Die
    29A Ta 100A Tc
    HEXFET®
    2010
    Cut Tape (CT)
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150°C
    -55°C
    104W
    16 ns
    N-Channel
    2.5mOhm @ 50A, 10V
    2.35V @ 100μA
    3635pF @ 25V
    55nC @ 10V
    30ns
    30V
    -
    12 ns
    100A
    2.35V
    20V
    30V
    -
    3.635nF
    29 ns
    2.5mOhm
    2.5 mΩ
    2.35 V
    5mm
    5.9944mm
    838.2μm
    无
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    3.6W
    Single
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