Infineon Technologies IRF6713STR1PBF

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SQ

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

供应商器件包装

DIRECTFET™ SQ

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Ta 95A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Turn Off Delay Time

9.2 ns

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta 42W Tc

Number of Elements

1

系列

HEXFET®

已出版

2008

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-40°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

电阻

3MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

功率耗散

2.2W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3mOhm @ 22A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2880pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 4.5V

上升时间

13ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

22A

阈值电压

1.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

25V

双电源电压

25V

输入电容

2.88nF

恢复时间

30 ns

漏源电阻

4.6mOhm

最大rds

3 mΩ

栅源电压

1.9 V

宽度

3.95mm

长度

3.95mm

高度

508μm

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅