IRF6713STR1PBF备选型号: NTMFS4898NFT3G
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- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 供应商器件包装
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFETDirectFET™ Isometric SQ表面贴装表面贴装6DIRECTFET™ SQ22A Ta 95A TcHEXFET®2008Tape & Reel (TR)-40°C~150°C TJObsolete1 (Unlimited)SMD/SMT3MOhm150°C-40°C2.2W12 nsN-Channel3mOhm @ 22A, 10V2.4V @ 50μA2880pF @ 13V32nC @ 4.5V13ns25V±20V6 ns22A1.9V20V25V25V2.88nF30 ns4.6mOhm3 mΩ1.9 V3.95mm3.95mm508μm无无SVHC符合RoHS标准无铅-----------------
- MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM8-PowerTDFN, 5 Leads表面贴装表面贴装5-13.2A Ta 117A Tc-2007Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJObsolete1 (Unlimited)----73.5W17.6 nsN-Channel3m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 1mA3233pF @ 12V49.5nC @ 10V23ns-±20V8.3 ns117A1.5V20V30V------6.1mm5.1mm1.1mm无无SVHC符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)SILICONe3yes5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT5Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.0048Ohm234A228 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH5302DTR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN | 对比 |
| NTMFS4898NFT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM | 对比 | |
![]() | IRF6711STR1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric SQ | MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ | 对比 |




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