IRF7205TRPBF备选型号: DMP3085LSS-13

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  • JESD-609代码
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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 参考标准
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    4.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    70mOhm
    Matte Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -5.3A
    30
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    14 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 4.6A, 10V
    3V @ 250μA
    870pF @ 10V
    40nC @ 10V
    21ns
    30V
    ±20V
    71 ns
    -4.6A
    -3V
    20V
    -30V
    -30V
    100 ns
    -3 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    3.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    30
    Single
    增强型MOSFET
    -
    4.8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 5.3A, 10V
    3V @ 250μA
    563pF @ 25V
    5.2nC @ 4.5V
    5ns
    30V
    ±20V
    14.6 ns
    3.8A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    AEC-Q101
    0.07Ohm
    30V
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