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首页 全部分类 IRF7210PBF vs IRF7410TRPBF

IRF7210PBF备选型号: IRF7410TRPBF

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  • 最大rds
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 行间距
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRF7210PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    16A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    7mOhm
    150°C
    -55°C
    2.5W
    50 ns
    P-Channel
    7mOhm @ 16A, 4.5V
    600mV @ 500μA
    17179pF @ 10V
    212nC @ 5V
    3ns
    12V
    ±12V
    30 ns
    -16A
    600mV
    12V
    -12V
    12V
    17.179nF
    247 ns
    7mOhm
    7 mΩ
    600 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7410TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    7MOhm
    -
    -
    2.5W
    13 ns
    P-Channel
    7m Ω @ 16A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    8676pF @ 10V
    91nC @ 4.5V
    12ns
    12V
    ±8V
    200 ns
    -16A
    -400mV
    8V
    -12V
    -12V
    -
    145 ns
    -
    -
    -900 mV
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    8
    -12V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -16A
    30
    6.3 mm
    1
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    65A
    150°C
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IRF7420PBF IRF7420PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC 对比