IRF7210PBF备选型号: IRF7420PBF

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终端
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    16A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    7mOhm
    150°C
    -55°C
    2.5W
    50 ns
    P-Channel
    7mOhm @ 16A, 4.5V
    600mV @ 500μA
    17179pF @ 10V
    212nC @ 5V
    3ns
    12V
    ±12V
    30 ns
    -16A
    600mV
    12V
    -12V
    12V
    17.179nF
    247 ns
    7mOhm
    7 mΩ
    600 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    11.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    14MOhm
    -
    -
    2.5W
    8.8 ns
    P-Channel
    14m Ω @ 11.5A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    3529pF @ 10V
    38nC @ 4.5V
    8.8ns
    12V
    ±8V
    225 ns
    -11.5A
    -900mV
    8V
    -12V
    -12V
    -
    -
    -
    -
    -900 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    -12V
    -11.5A
    Single
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IRF7420PBF IRF7420PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC 对比