IRF7402PBF备选型号: BSO330N02KGFUMA1

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  • 电压 - 额定直流
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    6.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    35MOhm
    150°C
    -55°C
    20V
    6.8A
    6.3 mm
    2.5W
    5.1 ns
    N-Channel
    35mOhm @ 4.1A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    650pF @ 15V
    22nC @ 4.5V
    47ns
    20V
    ±12V
    32 ns
    6.8A
    700mV
    12V
    20V
    20V
    650pF
    35mOhm
    35 mΩ
    700 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin DSO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    7.4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    30m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.2V @ 20μA
    730pF @ 10V
    4.9nC @ 4.5V
    16.8ns
    20V
    -
    2.8 ns
    5.4A
    -
    12V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    SILICON
    yes
    8
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    1.4W
    鸥翼
    未说明
    未说明
    BSO330N02
    8
    不合格
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    0.03Ohm
    19 mJ
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    逻辑电平门
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