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首页 全部分类 IRF7416GTRPBF vs IRF7907TRPBF

IRF7416GTRPBF备选型号: IRF7907TRPBF

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  • 终止次数
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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 操作模式
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF7416GTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    8-SO
    10A Ta
    2011
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    Single
    2.5W
    18 ns
    P-Channel
    20mOhm @ 5.6A, 10V
    1V @ 250μA
    1700pF @ 25V
    92nC @ 10V
    49ns
    30V
    ±20V
    60 ns
    10A
    20V
    -30V
    1.7nF
    20mOhm
    20 mΩ
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    符合RoHS标准
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7907TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    9.1A 11A
    2008
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Dual
    2W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    16.4m Ω @ 9.1A, 10V
    2.35V @ 25μA
    850pF @ 15V
    10nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    11A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    ROHS3 Compliant
    无
    12 Weeks
    SILICON
    e3
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2W
    鸥翼
    260
    30
    IRF7907PBF
    增强型MOSFET
    15 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无铅
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