IRF7416GTRPBF备选型号: STS7PF30L

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  • 最高工作温度
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 高度
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  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 电压
  • 电流
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    8-SO
    10A Ta
    2011
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    Single
    2.5W
    18 ns
    P-Channel
    20mOhm @ 5.6A, 10V
    1V @ 250μA
    1700pF @ 25V
    92nC @ 10V
    49ns
    30V
    ±20V
    60 ns
    10A
    20V
    -30V
    1.7nF
    20mOhm
    20 mΩ
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    P-Channel 30 V 0.021 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet - SOIC-8
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    7A Tc
    -
    STripFET™ II
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    2.5W
    68 ns
    P-Channel
    21m Ω @ 3.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2600pF @ 25V
    38nC @ 4.5V
    54ns
    -
    ±20V
    23 ns
    7A
    20V
    -30V
    -
    -
    -
    1.25mm
    5mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    40 Weeks
    SILICON
    8
    EAR99
    21mOhm
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -7A
    STS7P
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    7A
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    无铅
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