IRF7420PBF备选型号: IRF7329PBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 行间距
- 操作模式
- 晶体管应用
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOICTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)811.5A Tc-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2004Discontinued1 (Unlimited)14MOhm-12V-11.5ASingle2.5W8.8 nsP-Channel14m Ω @ 11.5A, 4.5V900mV @ 250μA3529pF @ 10V38nC @ 4.5V8.8ns12V±8V225 ns-11.5A-900mV8V-12V-12V-900 mV1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------------
- MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)89.2A-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2004Discontinued1 (Unlimited)17MOhm-12V-9.2ADual2W10 ns2 P-Channel (Dual)17m Ω @ 9.2A, 4.5V900mV @ 250μA3450pF @ 10V57nC @ 4.5V8.6ns12V-260 ns-9.2A-900mV8V-12V-12V-900 mV1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅13 WeeksSILICONe38SMD/SMTEAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY2W鸥翼IRF7329PBF6.3 mm增强型MOSFETSWITCHINGMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7410TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC | 对比 |



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