IRF7420PBF备选型号: IRF7410TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 终端
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 行间距
- 通道数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOICTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)811.5A Tc-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2004Discontinued1 (Unlimited)14MOhm-12V-11.5ASingle2.5W8.8 nsP-Channel14m Ω @ 11.5A, 4.5V900mV @ 250μA3529pF @ 10V38nC @ 4.5V8.8ns12V±8V225 ns-11.5A-900mV8V-12V-12V-900 mV1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------------
- MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOICTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)81-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2006活跃1 (Unlimited)7MOhm-12V-16ASingle2.5W13 nsP-Channel7m Ω @ 16A, 4.5V900mV @ 250μA8676pF @ 10V91nC @ 4.5V12ns12V±8V200 ns-16A-400mV8V-12V-12V-900 mV1.75mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICONe38SMD/SMTDUAL鸥翼260306.3 mm1增强型MOSFETSWITCHING65A145 ns150°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7410TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC | 对比 |



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